Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis mittels thermischer Plasmen

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Personen und Körperschaften:	Wank, Andreas, Wielage, Bernhard, Wilden, Johannes, Steffens, Hans-Dieter, Lang, Heinrich
Titel:	Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis mittels thermischer Plasmen
Hochschulschriftenvermerk:	Dissertation, Technische Universität Chemnitz, 2002
Format:	E-Book Hochschulschrift
Sprache:	Deutsch
veröffentlicht:	Online-Ausg.. 2002
Gesamtaufnahme:	Hochratesynthese von Hartstoffschichten auf Siliciumbasis mittels thermischer Plasmen; Schriftenreihe Werkstoffe und Werkstofftechnische Anwendungen ; Band 10
Schlagwörter:	Thermisches Plasma Schichtsynthese Plasmajet Cvd Triple Torch Dc Plasma Flüssige Precursoren Sic Si3N4 Prozessdiagnostik Enthalpiesonde Emissionsspektroskopie Hochschulschrift
Quelle:	Qucosa

Details
Zusammenfassung:	Mittels thermischer Plasmen werden Hartstoffschichten auf der Basis von Silicium - SiC, Si3N4 sowie ternäre Si-C-N Verbindungen, aus flüssigen Single Precursoren synthetisiert. Durch die hohen Abscheideraten von bis zu 1.500 µm/h wird das hohe Potenzial der Beschichtungswerkstoffe für den Schutz von Bauteilen, die starken Verschleiß- und Korrosionsbeanspruchungen insbesondere bei hohen Temperaturen ausgesetzt sind, bei wirtschaftlich interessanten Prozesszeiten nutzbar. Der Einfluss der Precursorstruktur und der Prozessführung auf die Mikrostruktur der Schichten sowie die Abscheiderate wird systematisch erarbeitet. Zur Schichtcharakterisierung kommen Lichtmikroskopie, REM, EDX, XRD und im Fall röntgenamorpher Schichten FTIR zum Einsatz. Das Verwenden unterschiedlicher thermischer Plasmen erlaubt das Einstellen eines weiten Prozessfeldes. Mit Hilfe von Enthalpiesonden Messungen werden die Einflüsse der Maschinenparameter auf den Prozesszustand untersucht. Die Ergebnisse sind in einer Prozess - Gefügekarte zusammengefasst. Da das Gefüge der Schichten die Eigenschaften im Einsatz bedingt, bieten diese Arbeiten die Grundlage für das reproduzierbare Herstellen von Schichten mit angepassten Eigenschaften. Über die emissionsspektroskopischen Analysen zu den plasmachemischen Reaktionen gelingt es, die Schichtabscheidemechanismen in Abhängigkeit von den Prozessparametern zu klären und einen Ansatz für eine online Prozesskontrolle zu erarbeiten.