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Coulomb Interaction Induced Gap in an Al/SiO2/Si:P tunnelling Device
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | Applied Science and Convergence Technology |
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Personen und Körperschaften: | , , , , |
In: | Applied Science and Convergence Technology, 26, 2017, 3, S. 50-51 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Englisch |
veröffentlicht: |
The Korean Vacuum Society
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Schlagwörter: |
Umfang: | 50-51 |
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ISSN: |
2288-6559
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DOI: | 10.5757/asct.2017.26.3.50 |