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Multiskalensimulation des Ladungstransports in Silizium-Nanodraht-Transistoren: Evaluation der Grenzen des Simulationsmodells: Ist die Bestimmung von physikalischen Parameten aus g...

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Personen und Körperschaften: Eckert, Hagen (VerfasserIn)
Titel: Multiskalensimulation des Ladungstransports in Silizium-Nanodraht-Transistoren: Evaluation der Grenzen des Simulationsmodells: Ist die Bestimmung von physikalischen Parameten aus gemessenem Strom-Spannungs-Kennlinien möglich?/ Hagen Eckert
Hochschulschriftenvermerk: Dresden, Techn. Univ., Fakultät Maschinenwesen, Diplomarbeit, 2012
Format: E-Book Hochschulschrift
Sprache: Deutsch
veröffentlicht:
2012
Schlagwörter:
Nanodraht
Feldeffekttransistor
Mehrskalenanalyse
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Tunneleffekt
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