Schottky-Kontakte auf Zinkoxid- und β-Galliumoxid-Dünnfilmen: Barrierenformation, elektrische Eigenschaften und Temperaturstabilität: Schottky-Kontakte auf Zinkoxid- und β-Galliumo...

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Personen und Körperschaften:	Müller, Stefan, Grundmann, Marius, von Wenckstern, Holger, Riedl, Thomas
Titel:	Schottky-Kontakte auf Zinkoxid- und β-Galliumoxid-Dünnfilmen: Barrierenformation, elektrische Eigenschaften und Temperaturstabilität: Schottky-Kontakte auf Zinkoxid- und β-Galliumoxid-Dünnfilmen:Barrierenformation, elektrische Eigenschaften und Temperaturstabilität
Hochschulschriftenvermerk:	Dissertation, Universität Leipzig, 2015
Format:	E-Book Hochschulschrift
Sprache:	Deutsch
veröffentlicht:	Online-Ausg.. 2016
Schlagwörter:	Zinkoxid Β-Galliumoxid Dünnfilme Gepulste Laserabscheidung Schottky-Kontakte Metall-Halbleiter-Grenzfläche Schottky Barrierenformation Temperaturstabilität Schottky Kontakte Zinc Oxide Β-Gallium Oxide Thin Films Pulsed Laser Deposition Schottky Contacts Metal-Semiconductor Interface Schottky Barrier Inhomogeneities Schottky Barrier Formation Temperature Stability Schottky Contacts Hochschulschrift
Quelle:	Qucosa

Details
Zusammenfassung:	Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Untersuchung von Schottky-Kontakten auf halbleitenden Zinkoxid- und β-Galliumoxid-Dünnfilmen. Nach einer kurzen Einführung in die verwendeten Materialsysteme und die Theorie von Schottky-Kontakten werden die Eigenschaften von verschiedenartig hergestellten Schottky-Kontakten auf Zinkoxid aufgezeigt. Dazu werden typischerweise Strom-Spannungs- und Kapazitäts-Spannungs-Messungen genutzt. Für die Zinkoxid-basierten Schottky-Kontakte konnte anhand verschiedenartig hergestellter Schottky-Kontakte gezeigt werden, dass deren Barrierenformation maßgeblich von Sauerstoffvakanzen nahe der Metall-Halbleiter-Grenzfläche beeinflusst wird. Zur Realisierung von Galliumoxid-basierten Schottky-Kontakten wurden zunächst die Eigenschaften von undotierten und Silizium-dotierten Galliumoxid-Dünnfilmen untersucht. Diese Dünnfilme sind mittels gepulster Laserabscheidung auf c-plane Saphir hergestellt. Als Prozessparameter sind in dieser Arbeit die Wachstumstemperatur, der Sauerstoffpartialdruck in der Kammer und der Silizumgehalt bspw. in Bezug auf Leitfähigkeit, Oberflächenmorphologie oder Kristallinität zur Realisierung von Schottky-Kontakten optimiert. Auf diesen Dünnfilmen wurden mit verschiedenen Herstellungsverfahren, wie thermischer Verdampfung, (reaktiver) Kathodenzerstäubung oder (reaktiver) Distanz-Kathodenzerstäubung, Metall- bzw. Metalloxid-Schottky-Kontakte aufgebracht. Dabei werden unter anderem die elektrischen Eigenschaften direkt nach der Herstellung und deren Entwicklung im weiteren zeitlichen Verlauf untersucht. Des Weiteren werden die Temperaturstabilität oder aber die Spannungsstabilität der Schottky-Kontakte studiert. Ein Vergleich zu Schottky-Kontakten auf β-Galliumoxid-Volumenmaterial wird anhand mittels reaktiver Distanz-Kathodenzerstäubung hergestellter Platinoxid-Dioden durchgeführt.