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|a Die Eigenschaften und Leistung von Gerätschaften, welche auf ZnO-Nanostrukturen basieren (vornehmlich drahtähnliche und blattähnliche) hängen im Wesentlichen von der Größe der Nanostrukturen, denen in ihnen auftretenden strukturellen Defekten sowie der Dotierung des ZnO ab. Daher ist es nötig diese Parameter in ZnO zu untersuchen um dessen Eigenschaften optimieren zu können, was somit auch die Motivation für diese Dissertationsschrift darstellt. In dieser Arbeit wurden Größen, Defekt- und Dotierungseffekte auf die Eigenschaften von ultralangen ZnO-Nanodrähten, In-dotierten blattähnlichen ZnO Strukturen sowie nadelförmigen ZnO-Nanostrukturen untersucht, welche mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) und einer hydrothermalen Abscheidungsmethode hergestellt wurden. Zunächst wurde eine Vielzahl von Analysetechniken angewendet um die Korrelation zwischen den auftretenden Defekten und der Größe, respektive dem Durchmesser und der Länge, der ZnO-Nanodrähte zu ermitteln. Die entsprechenden Resultate zeigen, dass eine steigende Konzentration von Sauerstoffleerstellen (Vo) in Kombination mit einer steigenden Konzentration von Zn Zwischengitterdefekten (Zni) für eine ansteigende Größe der Nanodrähte verantwortlich ist. Besonders erwähnenswert ist, dass die Variation des Feldverstärkungsfaktors (β) der ZnO-Nanodrähte bei Feldemission erheblich von der Konzentration der Sauerstoffleerstellen (Vo) in Kombination mit der Länge der Nanodrähte zusammenhängt. Im Vergleich mit den ultralangen und nadelförmigen ZnO-Nanodrähten, weisen die In-dotierten Nanostrukturen das niedrigste Anschalt- und Grenzfeld sowie den relativ höchsten Feldverstärkungsfaktor β auf. Der Grund hierfür wird der blattähnlichen Morphologie sowie der Dotierung zugesprochen. Daher ist das Wissen um die Korrelation zwischen der Menge und der Art von natürlichen intrinsischen Defektstrukturen sowie der Dotierung in den Nanodrähten mit sich ändernder Größe der Strukturen ein wichtiger Schritt in Richtung einer Optimierung und eines allgemeinen Tuningprozesses von Geräten, welche auf ZnO-Nanostrukturen basieren.
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Fang, Yaoguo 1983- VerfasserIn (DE-588)1124908188 (DE-627)879217952 (DE-576)483219789 aut, Structural parameters (size, defect and doping) of ZnO nanostructures and relations with their optical and electrical properties vorgelegt von M.Sc. Yaoguo Fang, Ilmenau Universitätsbibliothek [2017], 1 Online-Ressource (XII, 117 Seiten) Diagramme, Illustrationen, Text txt rdacontent, Computermedien c rdamedia, Online-Ressource cr rdacarrier, Dissertation Technische Universität Ilmenau 2017, Die Eigenschaften und Leistung von Gerätschaften, welche auf ZnO-Nanostrukturen basieren (vornehmlich drahtähnliche und blattähnliche) hängen im Wesentlichen von der Größe der Nanostrukturen, denen in ihnen auftretenden strukturellen Defekten sowie der Dotierung des ZnO ab. Daher ist es nötig diese Parameter in ZnO zu untersuchen um dessen Eigenschaften optimieren zu können, was somit auch die Motivation für diese Dissertationsschrift darstellt. In dieser Arbeit wurden Größen, Defekt- und Dotierungseffekte auf die Eigenschaften von ultralangen ZnO-Nanodrähten, In-dotierten blattähnlichen ZnO Strukturen sowie nadelförmigen ZnO-Nanostrukturen untersucht, welche mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) und einer hydrothermalen Abscheidungsmethode hergestellt wurden. Zunächst wurde eine Vielzahl von Analysetechniken angewendet um die Korrelation zwischen den auftretenden Defekten und der Größe, respektive dem Durchmesser und der Länge, der ZnO-Nanodrähte zu ermitteln. Die entsprechenden Resultate zeigen, dass eine steigende Konzentration von Sauerstoffleerstellen (Vo) in Kombination mit einer steigenden Konzentration von Zn Zwischengitterdefekten (Zni) für eine ansteigende Größe der Nanodrähte verantwortlich ist. Besonders erwähnenswert ist, dass die Variation des Feldverstärkungsfaktors (β) der ZnO-Nanodrähte bei Feldemission erheblich von der Konzentration der Sauerstoffleerstellen (Vo) in Kombination mit der Länge der Nanodrähte zusammenhängt. Im Vergleich mit den ultralangen und nadelförmigen ZnO-Nanodrähten, weisen die In-dotierten Nanostrukturen das niedrigste Anschalt- und Grenzfeld sowie den relativ höchsten Feldverstärkungsfaktor β auf. Der Grund hierfür wird der blattähnlichen Morphologie sowie der Dotierung zugesprochen. Daher ist das Wissen um die Korrelation zwischen der Menge und der Art von natürlichen intrinsischen Defektstrukturen sowie der Dotierung in den Nanodrähten mit sich ändernder Größe der Strukturen ein wichtiger Schritt in Richtung einer Optimierung und eines allgemeinen Tuningprozesses von Geräten, welche auf ZnO-Nanostrukturen basieren., Systemvoraussetzung: Acrobat reader., Archivierung/Langzeitarchivierung gewährleistet pdager DE-27, Hochschulschrift (DE-588)4113937-9 (DE-627)105825778 (DE-576)209480580 gnd-content, s (DE-588)4190864-8 (DE-627)105246484 (DE-576)210069716 Zinkoxid gnd, s (DE-588)4342626-8 (DE-627)153672439 (DE-576)211436038 Nanostrukturiertes Material gnd, s (DE-588)4009846-1 (DE-627)104409770 (DE-576)208884939 CVD-Verfahren gnd, s (DE-588)4125030-8 (DE-627)105743232 (DE-576)209573112 Gitterbaufehler gnd, s (DE-588)4123887-4 (DE-627)105751847 (DE-576)209563508 Optische Eigenschaft gnd, s (DE-588)4235053-0 (DE-627)104905190 (DE-576)210385596 Elektronische Eigenschaft gnd, (DE-627), Lei, Yong AkademischeR BetreuerIn (DE-588)1187786403 (DE-627)1666703273 dgs, Wilde, Gerhard 1966- GutachterIn (DE-588)115666559 (DE-627)691494347 (DE-576)290008611 oth, Jacobs, Heiko O. 1970- GutachterIn (DE-588)103023244X (DE-627)734945639 (DE-576)378035339 oth, Technische Universität Ilmenau Grad-verleihende Institution (DE-588)2125187-3 (DE-627)121097897 (DE-576)194247589 dgg, Erscheint auch als Druck-Ausgabe Fang, Yaoguo, 1983 - Structural parameters (size, defect and doping) of ZnO nanostructures and relations with their optical and electrical properties Ilmenau, 2017 XII, 117 Seiten (DE-627)878137866, http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:ilm1-2017000012 Resolving-System kostenfrei Volltext, https://www.db-thueringen.de/receive/dbt_mods_00031516 V:DE-601 B:DE-Ilm1 text/html Verlag ilmedia/DBT kostenfrei Volltext, http://d-nb.info/1184397821/34 2019-08-23 Langzeitarchivierung Nationalbibliothek Volltext, https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:ilm1-2017000012 2019-08-23 Resolving-System Volltext, http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:ilm1-2017000012 LFER, LFER 2019-05-07T00:00:00Z |
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Fang, Yaoguo, Structural parameters (size, defect and doping) of ZnO nanostructures and relations with their optical and electrical properties, Die Eigenschaften und Leistung von Gerätschaften, welche auf ZnO-Nanostrukturen basieren (vornehmlich drahtähnliche und blattähnliche) hängen im Wesentlichen von der Größe der Nanostrukturen, denen in ihnen auftretenden strukturellen Defekten sowie der Dotierung des ZnO ab. Daher ist es nötig diese Parameter in ZnO zu untersuchen um dessen Eigenschaften optimieren zu können, was somit auch die Motivation für diese Dissertationsschrift darstellt. In dieser Arbeit wurden Größen, Defekt- und Dotierungseffekte auf die Eigenschaften von ultralangen ZnO-Nanodrähten, In-dotierten blattähnlichen ZnO Strukturen sowie nadelförmigen ZnO-Nanostrukturen untersucht, welche mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) und einer hydrothermalen Abscheidungsmethode hergestellt wurden. Zunächst wurde eine Vielzahl von Analysetechniken angewendet um die Korrelation zwischen den auftretenden Defekten und der Größe, respektive dem Durchmesser und der Länge, der ZnO-Nanodrähte zu ermitteln. Die entsprechenden Resultate zeigen, dass eine steigende Konzentration von Sauerstoffleerstellen (Vo) in Kombination mit einer steigenden Konzentration von Zn Zwischengitterdefekten (Zni) für eine ansteigende Größe der Nanodrähte verantwortlich ist. Besonders erwähnenswert ist, dass die Variation des Feldverstärkungsfaktors (β) der ZnO-Nanodrähte bei Feldemission erheblich von der Konzentration der Sauerstoffleerstellen (Vo) in Kombination mit der Länge der Nanodrähte zusammenhängt. Im Vergleich mit den ultralangen und nadelförmigen ZnO-Nanodrähten, weisen die In-dotierten Nanostrukturen das niedrigste Anschalt- und Grenzfeld sowie den relativ höchsten Feldverstärkungsfaktor β auf. Der Grund hierfür wird der blattähnlichen Morphologie sowie der Dotierung zugesprochen. Daher ist das Wissen um die Korrelation zwischen der Menge und der Art von natürlichen intrinsischen Defektstrukturen sowie der Dotierung in den Nanodrähten mit sich ändernder Größe der Strukturen ein wichtiger Schritt in Richtung einer Optimierung und eines allgemeinen Tuningprozesses von Geräten, welche auf ZnO-Nanostrukturen basieren., Hochschulschrift, Zinkoxid, Nanostrukturiertes Material, CVD-Verfahren, Gitterbaufehler, Optische Eigenschaft, Elektronische Eigenschaft |
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Hochschulschrift, Zinkoxid, Nanostrukturiertes Material, CVD-Verfahren, Gitterbaufehler, Optische Eigenschaft, Elektronische Eigenschaft |
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