Eintrag weiter verarbeiten
Advantages of AlGaN-Based 310-nm UV Light-Emitting Diodes With Al Content Graded AlGaN Electron Blocking Layers
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | IEEE Photonics Journal |
---|---|
Personen und Körperschaften: | , , , , , , |
In: | IEEE Photonics Journal, 5, 2013, 4, S. 8200309-8200309 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
|
Schlagwörter: |