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Modeling Statistical Dopant Fluctuations Effect on Threshold Voltage of Scaled JFET Devices
Gespeichert in:
Zeitschriftentitel: | IEEE Access |
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Personen und Körperschaften: | |
In: | IEEE Access, 4, 2016, S. 507-513 |
Format: | E-Article |
Sprache: | Unbestimmt |
veröffentlicht: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
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Schlagwörter: |