Kaplin, V V.(2012). Channeling of 20-35 MeV electrons in Si substrates of multilayer structures. Journal of Physics: Conference Series, 357, 012028. doi:10.1088/1742-6596/357/1/012028
MLA ZitierstilKaplin, V V. "Channeling of 20-35 MeV Electrons in Si Substrates of Multilayer Structures". Journal of Physics: Conference Series, 357 ( 2012 ): 012028.
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