Selective area growth of cubic gallium nitride on silicon (001) and 3C-silicon carbide (001)

Gespeichert in:

Veröffentlicht in:	AIP Advances 11(2021), 7
Personen und Körperschaften:	Meier, F. (VerfasserIn), Protte, M. (VerfasserIn), Baron, Elias (VerfasserIn), Feneberg, Martin (VerfasserIn), Goldhahn, Rüdiger (VerfasserIn), Reuter, D. (VerfasserIn), As, D. J. (VerfasserIn)
Titel:	Selective area growth of cubic gallium nitride on silicon (001) and 3C-silicon carbide (001)
Format:	E-Book-Kapitel
Sprache:	Englisch
veröffentlicht:	2021
Gesamtaufnahme:	: AIP Advances, 11(2021), 7 , volume:11
Quelle:	Verbunddaten SWB Lizenzfreie Online-Ressourcen